سامسونگ پرده از رم‌های DDR5 خود با ظرفیت 512 گیگابایت در هر ماژول برداشت

با نزدیک شدن به زمان عرضه رم‌های جدید DDR5، کمپانی‌ها از آخرین دستاوردهای خود در این زمینه رونمایی می‌کنند. اما در این میان شرکت سامسونگ (SAMSUNG) با معرفی یک فناوری جدید به سرعت خبرساز شده است. جهان با رم‌های جدید DDR5 مدیون سامسونگ خواهد بود.

شرکت سامسونگ الکترونیک به تازگی خبر از دستاورد جدید خود، در حوزه فناوری‌های نیمه هادی داده است. این کمپانی کره‌ای موفق به توسعه ماژول‌های 512 گیگابایتی رم نوع DDR5 شده است. این شرکت در جریان کنفرانس Hot chips 33 جدیدترین دستاورد خود در زمینه تراشه‌های نیمه هادی را در حالی رونمایی می‌کند که هیچ یک از رقبا حتی محصولی نزدیک به آن را نیز در دست توسعه ندارند.

این شرکت کره‌ای ماژول رم DDR5 جدید خود را با فناوری TSV (Through Silicon Via) و به صورت 8H طراحی کرده است. این دو تکنیک به منظور کاهش ضخامت تراشه‌های مورد استفاده در ماژول‌ها مورد استفاده قرار می‌گیرند.

در طراحی پیشین برای حافظه‌های DDR4 سامسونگ از طراحی 4H یا همان 4 لایه استفاده کرده بود. اما در فناوری جدید این شرکت ابعاد ویفر را نازک‌تر کرده که منجر به کاهش 40 درصدی گاب بین قالب‌های انباشته شده شده است.

سرعت تراشه‌ها در این رم‌ها به 7.2 گیگابیت در ثانیه می‌رسد. البته سیستم‌های خانگی در حال حاضر قادر به پشتیبانی از چنین ماژول‌هایی نبوده و هدف اصلی سامسونگ سیستم‌های سرور رده بالا است. ماژول‌های جدید 8H DDR5 فقط 1.0 میلی متر ضخامت دارند؛ این در حالی است که مدل‌های DDR4 از آنها دارای ضخامت 1.2 میلی متر بودند.

ماژول‌های RDIMM / LRDIMM ساخت سامسونگ با سرعت 7.2 گیگابیت بر ثانیه می‌توانند به 512 گیگابایت ظرفیت برسند. این سرعت و پهنای باند با ولتاژ تنها 1.1 ولت به دست می‌آید.

سامسونگ اعلام کرده است که ماژول‌های DDR5 512GB این شرکت برای سال‌های 2023 تا 2024 وارد بازارهای جهانی خواهند شد. تا آن زمان نیز AMD و Intel پلتفرم‌های جدید سرور خود با پردازنده‌های جدید که از رم‌های DDR5 پشتیبانی می‌کنند را وارد بازارهای جهانی خواهند کرد.